作者：郭闯
来自台湾DigiTimes的消息——南韩内存大厂海力士（Hynix）在66纳米制程技术的DRAM研发进度几近于完成阶段，进度超过其对手全球最大内存厂三星电子（Samsung Electronics），目前2家公司都有采用80纳米制程技术产制DRAM，而三星电子积极开发70纳米制程技术，海力士则是转往与65纳米接近的66纳米制程技术开发。
这是海力士首度在研发竞赛上领先三星。海力士采用66纳米制程技术打造的1Gb容量DRAM芯片已经产制出样品，将是目前产制DRAM技术中最细致的制程。三星与海力士过去一向存在着一道技术鸿沟，但近年2家公司的研发差距转小，三星电子在2005年开始发展70纳米制程技术，而海力士则在2006年展开66纳米制程的开发。
海力士发言人透过电话对外表示，该公司尚未完全66纳米制程的所以开发阶段，但目前已经能够产制样品，处于最后研发阶段，几近于完成，而正式量产的时程尚未决定。
在NAND型Flash方面，采用更先进制程技术的难度较低，早在2006年7月，三星电子已经能够量产60纳米制程的NAND型Flash，但在DRAM的量产上还只能运用到80纳米制程，其70纳米制程技术虽然已经开发，但尚未确定量产时程。不但如此，近日因为先进制程良率问题，日、韩厂均有产能吃紧必须调配较低阶制程以因应市场需求的情形，DRAM的先进制程虽然可以降低成本并提高产量，同时耗电与效率都会有改善，但要完全产制顺遂，仍待业界努力。
海力士策略计画资深副总裁O. C. Kwon指出，由于微软（Microsoft）新操作系统上市Vista在即，市场对于DRAM的需求有增无减，原本先前该公司预估2006年DRAM价格会下跌3成，但目前看来只有2成。根据市场调查机构Dataquest的预估，全球DRAM市场将从2006年的287亿美元，成长到322亿美元。
