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美光发布DDR3内存 储存速度高功耗低


http://www.sina.com.cn 2006年09月26日 11:49 IT168.com
作者:虫马虫义   

  【IT168 资讯】9月26日美国Micron(美光)宣布他们已经建成DDR3芯片的生产线,预计在2007年全线生产1Gb的DDR3内存。

美光发布DDR3内存储存速度高功耗低

DDR3生产线即将投产

  美光表示DDR3内存将会比DDR2更快,能耗更低,存储密度更高。美光此次展示的发布的内存采用78纳米工艺,可支持数据存储数率高达800MT/S到1600MT/s,是现在DDR2内存的两倍,对应的频率为400MHz到800MHz。DDR3内存的另外一个改进就是功耗的降低,用在笔记本上的DDR3内存可以比现在减少功耗30%。

   IDC的高级分析师,Shane Rau认为:“2007年微软(Microsoft)的新一代

操作系统VISTA上市会给内存市场带来巨大的需求,DDR3内存会在服务器。笔记本核桌面电脑上发挥它的优势,然后会进入更多的消费领域,如图形图像和HDTV
高清电视
等。”

  美光希望DDR3内存产品能在明年intel发布“Bearlake”芯片组之前生产上市,并积极开发2Gb的DDR3内存。据悉,intel和AMD明年发布的芯片组也将支持DDR3内存规格。

爱问(iAsk.com)



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