深港台三地DRAM市场0828日交易动态 | |
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http://www.sina.com.cn 2006年08月30日 10:30 IT.COM.CN | |
台湾市场: NAND FLASH的部份,由于受到周一效应影响,报价以及需求都显见迟缓,只有少量的工厂实单需求,市场需求多集中在8Gb,8Gb也是今日唯一有出现涨幅的颗粒,而在受到需求迟缓的影响下,整体价格无法维持平稳,仍持续呈现在滑状态。 Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(K9F) / 8Gb(K9K) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落在USD2.45~2.65 / 4.55~4.75 / 6.25~6.35 / 12.4~12.5 / 25.55~25.7 / 23~23.5,而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb(SLC) / 4Gb(MLC) / 8Gb(SLC) / 8Gb(MLC) / 16Gb(SLC) / 16Gb(MLC) 报价约落在 USD2.4~2.55 / 4.5~4.7 / 5.85~6.05 / 5.55~5.65 / 11.8~11.9 / 11.45~11.65 / 25.45~25.6 / 23~23.8。 香港市场: DRAM部分:今天价格持续上涨,但DDR的需求明显好于DDR2。DDR 256Mb(32*8)400MHz Micron $2.90;DDR 256Mb(16*16)400MHz Samsung $2.85;DDR2 512Mb(64*8)533MHz Samsung $5.50、Elpida $5.30;DDR2 512Mb(64*8)667MHz Elpida $5.60;SDRAM Samsung 4M*16-60 一直短缺,-75货源相对充足,大概成交价格是$0.82。Hynix 4M*16 一直保持在$0.81左右,16M*16无铅的价格调涨了一些。 深圳市场: DRAM部分:今天DDR2、DDR行情依然不错,价格上涨。而SDRAM的部分,客户一直在选择有铅的产品.价格在7元左右.贸易商手里的库存也不是很多。 DXI 为3,800.57, 上涨31.07 (0.82%) 附注: 如何看报价:颗粒的价格决定了内存模组或者闪存产品厂商的制造主要成本,譬如一条512MB的内存上有八个32MB颗粒,颗粒的单价外加PCB电路基板的成本(大约10-15元)就是内存的基本价格,市价往往就是基本价格上增加经销商利润、运输测试成本。芯片的规格是以Mb为单位的,故此报价中规格Mb换算成MB 还需要乘以 1/8。譬如1Gb 换算为MB为 128MB。8Gb 则为1GB。 此外,由于测试内存颗粒是一个颇耗费时间以及成本颇高的过程,所以颗粒的测试会分成硅片的初步功能测试以及封装后包括稳定性测试等多种不同需要的测试过程。ETT颗粒代表是经过完整测试程序的颗粒,而UTT则是只经过基本测试的颗粒,价格相对会低些。 报价价格为美元报价,汇率大致在1美元兑7.8~7.9人民币元之间,更准确价格请查询国际汇率当日报价。 |