一周谈:颗粒价格无变化 闪存连下跌

　　本次内存一周谈的时间截止为2006/8/7，为了使读者能够清晰的了解到近期和今后的DRAM市场走势，我们依次通过上周DRAM市场和NAND FLASH市场两个方面来做介绍。

　　DRAM一周谈

　　市场回顾

　　上游供应控制市场 一周走势趋于平稳

　　月底压力似乎未在市场得以反应，上周整体行情趋于平稳。价格在前期得以拉高后，目前，上游逐步赢得主动，已经对现货价格具有一定的控制能力。由于投机性贸易活动不多，流通量放大有限，国内市场的影响力已经下降。从上周市场来看，DDR1持续平稳，整周现货价并未出现明显波动，UTT 64Mx8与Hynix 64Mx8 DDR400模组价始终保持在 ￥ 335与 ￥ 342附近。由于价位已经处于相对高位，买家追高心态并不多见，商家盈利点多在于拉高价格后的实际消化上。

　　DDR2方面，UTT模组止跌回稳，主要受到外围市场轻微上扬的影响。业者心态得到稳定，一些低价抛货动作已经减少。而一线品牌的原装模组价格仍较稳定。

　　SDRAM方面，市场变化不大，维持正常的市场交易。

　　市场预测

　　行情受上游操控 平稳走势仍将维持

　　原本各异的DDR1、DDR2走势开始同步，主要原因仍在于上游的统一操作。前期压力明显的UTT DDR2在供应面收紧的情况下，表现出于其他产品一致的价格走势。也可以间接看出，厂家库存量并未有很好的释放，由于看好4季度市场，延后出货时间，将业绩压至至年末来进行揭晓。

　　本周，市场出现变化的机率不大，平稳走势仍将继续维持。若实际需求有所改观，可以预见，仍有机会价格小幅上扬一点。

　　价格预测

　　市场操作

　　根据各方面数据及信息分析，本周DRAM市场综合评级为“中立”。

　　本周操作：鉴于以上分析，我们认为，本周并不是较好的投机性操作时期，建议本周按实际消化量进行正常操作，不建议进行投机性贸易活动。库存较高商家可适量套现。

　　NAND Flash市场一周谈

　　市场回顾

　　月底效应显现 上游加大供应量 现货价受压下跌

　　时逢月末，上周NAND FLASH现货价出现明显下跌。究其主要原因，并不是由于需求维持淡静，而在于上游厂家出货动作的影响。记忆体厂家考虑到7月份业绩报告，在月底配额较多的NAND颗粒至OEM与代理商，所以月底压力十分明显，而需求方面的表现也不是很乐观，大部分通路和代工厂采购非常谨慎，市面发生的一些贸易动作多为实际订单的需求，投机性贸易活动在上周并不明显。现货市场的供需关系出现严重倾斜，导致NAND Flash现货价整周持续下跌。高容量颗粒压力尤为明显，Samsung 16G从 $ 29下跌到 $ 26.6附近，其他容量价格也出现不同程度的下跌。

　　下半年市场如何导向业界看法不一，配合传统旺季各大公司将推出新的数码产品，从而提升NAND FLASH的使用率，是其看好后市的一个重要原由。但也出现韩国记忆体厂家Hynix调整产能计划，调拨部分NAND FLASH产能至DRAM部分，说明其对下半年行情仍持有保守态度。

　　市场预测

　　下跌速度开始收缓 反弹空间有限

　　月底压力结束后，目前价格需要得到市场的接受，虽然记忆体厂家压力暂时得到缓解，出货量会恢复正常。但由于月末释放的货源并未得到很好的消化，仍有不少产品在OEM、通路手中，而这部分货源将影响到本周现货价格，市场需要一段时间消化以后，价格才能趋于稳定。

　　1G/2G/4G产品的价格已经靠近厂家成本线，不会出现大幅下调的情况，随着主流容量的转移，而较高容量8G/16G的价格存在调整的空间，如果本周货源仍然充裕，那么价格应该还会继续走跌。

　　ChinaDram分析，本周NAND FLASH仍有一定的压力，但下跌速度将较上周有所减缓，如上游厂家维持正常的出货量，本周出现反弹的机率有限。

　　市场操作

　　鉴于以上分析，建议多操作实际需求方面的热点产品，按照实单进行操作，虽然收益率不高，但在目前行情下可规避亏损的风险。高容量产品建议谨慎操作，价位仍有下调空间。期间重点关注供应方面的变化，一旦外围收窄供应面，可觅机适量纳入库存，进行短线操作。