作者：h
据悉，内存生产商Samsung上周五(6月28日)宣布，他们成功采用60奈米技术制作出最高速及最高容量的“OneNAND”内存芯片。全新的2Gb OneNAND容量比上代提升一倍，而且 写入速度由上代的9.3MB/s大幅提升至17MB/s，超越了传统NAND Flash的13MB/s及NOR Flash的0.5MB/s，但却保持与NAND Memory的快速读取特性，用途将非常广泛。
图一︰OneNAND与传统NOR及NAND Flash技术的读写速度比较（图片来自HKEPC）
图片来自HKEPC
据Samsung半导体闪存市场部总裁Don Barnetson表示，透过OneNAND内存的互相连接技术，8颗2Gb OneNAND内存颗粒组合，写入速度将可达至最高138MB/s的速度，虽然读取速度保持108MB/s比不上NOR Flash的266MB/s，但拥有较平均的读写表现令其应用层面更为广泛行动电话、数码相机、记忆卡、个人计算机及数字电影等产品中，据Samsung表示未来将把OneNAND技术应用于NAND硬盘中，它相比现时市场SATA硬机以RAID 0运作的效率更高，比传统硬盘更优秀的防撞能力，能减少因行动计算机因撞击而导致的损失，这对不少商务行政人员来说整为重要，纵使OneNAND的价格比NAND Memory高昂，但仍然有一定的市场需求，在采用全新的60奈米生产技术后，两者价格差距将会减少。
据了解，OneNAND可用于Buffer用途，现时Samsubg在NAND Flash-Based Solid State Disk硬盘中，已采用OneNAND内存用作Buffer之用，以增加产品的效能。
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