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继续领跑flash市场 三星发布2Gb闪存


http://www.sina.com.cn 2006年06月28日 10:10 太平洋电脑网
作者:roby

  INQ报道--三星在半导体制程技术上已经取得了重大进步,近日他们研制成功了基于65nm技术的闪存,容量高达2Gbit。

  得益于容量提升后的密度提升,新型闪存读取数据速度达到了17MB每秒,是前代产品的两倍。三星打算推出8颗这种闪存串联的产品,速度大约将提高至136MB/s,但对于具体上市时间,暂时还没有任何消息。

爱问(iAsk.com)



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