继续领跑flash市场 三星发布2Gb闪存 | |
---|---|
http://www.sina.com.cn 2006年06月28日 10:10 太平洋电脑网 | |
作者:roby INQ报道--三星在半导体制程技术上已经取得了重大进步,近日他们研制成功了基于65nm技术的闪存,容量高达2Gbit。 得益于容量提升后的密度提升,新型闪存读取数据速度达到了17MB每秒,是前代产品的两倍。三星打算推出8颗这种闪存串联的产品,速度大约将提高至136MB/s,但对于具体上市时间,暂时还没有任何消息。 |