作者：IT168评测中心 Lucifer
优点
1、具有较好的超频能力。
缺点
1、暂无。
【IT168评测中心】时值06年中，DDR2内存已经很成熟了，新装Intel平台已经有很大部分使用了DDR2内存，而AMD也将在下一季度推出支持DDR2内存的Socket AM2接口CPU。然而AMD当前得大部分用户都仍在使用DDR平台。
跟DDR2相比，DDR尽管数据传输速率不如DDR2，但是其拥有延迟比较低的优点，而DDR2内存采用BGA封装技术带来的更低发热量、更低功耗的优势，也能适用于DDR身上，并且通过改进工艺，DDR也能达到更高的频率，也能适度降低数据传输速率的劣势，因此，仍是有厂商推出了DDR内存的新品。
我们测试了RAmos蓝魔送来的两条DDR400 512MB模组，RAmos内存相信不少人都知道了，RAmos实际上是韩国三星的工厂，三星推出RAmos这个内存品牌就是为了提高三星内存的品牌，而RAmos内存则面向普通的用户，以价格优势取胜。一些人也将RAmos称为新三星。
包装上面的保修条款比较吸引人。
看起来很像普通TSOP封装得DDR内存。
引脚1属于内存供电的其中一条线路，在这里这条内存准备了一个小贴片电容进行简单的滤波。右边则是大规模的电阻网络。
贴纸上标明了内存条型号：RC56D041TAO-32BC，容量为512MB，额定工作频率DDR400的时候CL为２.5。
内存颗粒为RC56D041TAO-32BC，跟模组的型号一样。尽管看来比较像长方形的TSOP集成块，其确实是BGA封装的。内存条右边是防伪标签。
最有上角的小八脚IC即为SPD芯片。
背面也有一样的8个内存颗粒，因此这个512MB模组总共使用了16个内存颗粒，每个为32MB，这是一个2Physical Bank，4Logical Bank的内存。
这条内存使用了6层PCB制作，在这一面的右侧有相应的记号：一个方框框住一个阿拉伯数字6。每一层PCB都使用这种方法标识所处在的层数，相应地对面的记号就为1。
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硬件环境
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AMDl Athlon 64 3000+(Socket 939 Winchester ,90nm,200*9=1.8G,512KB L2) @ 1808.3/1820.2MHz
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EPoX EP-9NPA+(NVIDIA nForce4)
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RAmos DDR400 512M(2 Physical Bank,8 Logical Bank)
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WesternDigital WD1200JS-00MHB0 120G 8M SATA 1.5Gbps(Firmware 02.01C03)
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XFX GF6600 128MB 128bit(NVIDIA GeForce 6600GS,PCI Express x16, 400MHz/400MHz)
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台达洪涛660(ATX12V 2.0 450W)
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Windows XP Professional 2600 ENG SP2 + DirectX 9.0c 2006.02.07
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NVIDIA nForce4 ForceWare 6.66 WHQL
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nVIDIA Forceware 84.21 WHQL
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PCMark05 1.0.1
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SuperPI
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WinRAR
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SiSoftware Sandra 2007
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Everest Ultimate Edition 2006 2.80.534
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我们仅测试了单条内存的成绩，这样可以更容易看出内存的效率。经过一番调试，内存稳定在DDR520完成了所有测试。
默认DDR400时候的时序为2.5-4-4-8，实际上可以达到2.5-3-2-8。
超频到DDR520时的状态：
在DDR520的时候可以达到3-3-3-8的时序。
