最高1600Mbps 南亚下代DDR3内存出样 | |
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http://www.sina.com.cn 2006年05月09日 00:12 中关村在线 | |
作者:中关村在线 洛风
在SemiTech 2006大会上,南亚科技全球市场营销副总裁Pei-lin Pai表示,他们计划在今年下半年开始向其客户出样DDR3内存颗粒。 Pei-lin Pai表示,南亚并不期望DDR3内存能够在2008年前为其贡献很多收入。今年,DDR3颗粒将采用90nm工艺制造。而在DDR3渐渐普及之后,这种颗粒的生产将过渡到70nm工艺。这可能要等到2008年。
DDR3采用较低的工作电压(1.5V,而DDR2是1.8V)、8位预取架构(DDR2采用4位预取架构)并内置热感器。DDR3内存的规格包括:数据传输率范围是800Mbps~1600Mbps(DDR3-800~DDR3-1600),CAS延迟范围为5~10,提供PASR和ASP节能模式。 目前,JEDEC组织正在对DDR3内存的规格问题进行讨论,Pei-lin Pai认为标准的最终确定要等到明年年底或2008年上半年。 在SemiTech大会上,南亚展示了其240pin 1GB DDR3内存,它采用512Mbit DDR3-1066颗粒,提供了最大8.5GB/s(PC3-8500)的带宽。 |