闪存成G随身带！三星3D内存封装技术

　　【IT168 资讯】 三星半导体最近宣布了一项新的三维芯片封装技术，可以在小空间内封装更多的内存。这项技术通过在内存模块上加装一个“直通硅”（through silicon）把多个层叠的内存模块连接了起来，三星称之为“晶片级堆叠工艺”（WSP）。

　　现有的

　　三星的研究人员们成功制成8个2GB NAND芯片的堆叠封装，只是提升一点高度的情况下制成了16GB的容量，非常惊人，成GB级容量的便携存储不再是难事。这项技术以后还会应用在DRAM等多种媒体设备上，比如手机、PDA、高密度服务器组件等等。当然了，这种3D封装技术并不是可以适用所有的芯片上的，在告诉DRAM上，温度、电气散热等就成了较大的问题，近期是很难实现的了。