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英特尔推65纳米制程1Gb NOR闪存样本


http://www.sina.com.cn 2006年04月12日 15:38 天极yesky
作者:文志磊
  天极网4月11日消息 英特尔公司日前宣布推出采用先进65纳米(nanometer,nm)制程技术的1-gigabit多层单元 (Multi-Level Cell,MLC) NOR闪存芯片样本。英特尔的NOR闪存芯片被应用在包括手机在内的装置,用以管理重要的手机作业、处理个人资讯管理的数据、以及储存相片/音乐/影片等数字内容。

  英特尔的手机OEM客户将能通过共通的快闪架构,简化从90纳米转移至65纳米制程技术的流程。

  英特尔表示,我们通过前述方案,可持续为主流手机市场推出业界最先进的NOR闪存。我们的65纳米制程技术将提升快闪组件的性能,协助新一代的手机为消费者带来各项崭新及强化的功能。

  新组件将于第二季稍后开始向客户提供样本。

关于英特尔的65纳米制程技术

  英特尔在2005下半年推出首款采用65纳米制程的微处理器,该公司目前已在笔记本型、桌上型、服务器以及嵌入型装置专用的处理器上采用65纳米制程。

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