闪存革命!比NAND快1000倍的RRAM来临

　　据日本《Nikkei Business Daily》报道，日本一些企业和研究所正在开发新一代的存储器RRAM，与现有的NAND闪存相比它的价格更低、耗电更小，而速度据称理论上比现有的NAND闪存快1000倍！

　　夏普公司与静冈大学的研究人员透露他们已开发出工业原型，何时推向市场还在计划之中。夏普社长町田胜彦表示，RRAM 将会成为下一代闪存的主流技术。此前三星也曾发布过其RRAM的研究计划，另外，FRAM、MRAM、PRAM等多种新的闪存技术也正在快速发展中。看来，未来DV、MP4、手机的闪存运用将有极大的进步，届时闪存的读取速度才能真正满足用户的需要，而这对微型移动硬盘厂商来说或许并不是个好消息。

高像素拍照手机运用RRAM前景广阔