天天报:价格反弹 可能会持续上涨

    据各大市场反馈回来的行情来看，NAND FLASH方面成交量很少，主要是因为现货市场的货源非常少，报价也很少。可能会在近期一段时间内，它的价格可能会持续上涨。DRAM方面，由于外力作用，国内出现变化，价格开始反弹。预测短时间内价格会程缓慢上涨状态，需密切注意。

　　深圳市场

　　NAND FLASH方面，今天由于现货市场的货源非常少，导致报价很少，市场出现惜售状态，全天成交不大。如果上游货源继续控制，而现货市场通路的库存得不到补充，那么价格上涨将会持续一段时间，因此，我们持乐观态度。

　　DRAM方面，在上周末台湾拉动的前提下，今天国内出现变化，价格开始反弹，采购动作比较频繁，导致台湾停止报价，处于观望状态，从目前价格出现支撑来看，短时间内价格将还会缓慢上涨，因此，需要一起注意。

　　（以上信息由ChinaDram 提供） 

　　香港市场

　　由于Nand Flash现货供应突然收紧, 所以今天1G/ 2G/ 4G/ 8G价格出现反弹. 但是, 下午出现获利回吐贸易活动, Nand Flash涨势略为受阻. 同时, 1G/ 2G/ 4G/ 8G Hynix价格分别上扬至$ 4.15/ $ 5.25/ $ 9.10/ $ 17.80.

　　DDR方面, 普遍价格也出现相当大的涨幅, 尤其是UTT颗粒及Samsung原装模组. 市场需求明显增加, 但是供应量却不多. 大部份供应商对突如其来的上涨都较为审慎, 不太愿意放出库存. 今天DDR400 32x8 UTT价格暴涨至$1.84. 同时, DDR400 32x8/ 64x8 Hynix亦分别跳升至$ 2.00/ $ 3.85.

　　（以上信息由福意国际提供） 

    台湾市场

    今日的DRAM现货市场，512Mb(64M*8)400MHz颗粒价格仍是小幅上扬，连带模块需求也有明显增加，市场需求也较为热络。主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz的价格也小涨至USD2.01/USD2.13。而在UTT(ETT)的部份，成交价格急速攀升，在市场需求的带动下，晚盘价格上涨至USD1.89，交易量明显放大。

    在NAND Flash的现货部份，由于受到现货市场到货量明显不足的冲击下，出现间歇性的缺货，市场出现近日来较明显的需求，而8Gb的部分，更是在现货不足的情形，造成价格明显波动调涨，其它容量的价格也都反弹上涨。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(F9F) / 4Gb(K9K) / 8Gb(K9K) / 8Gb (K9W) /16Gb报价约落在USD4.2~4.3 / 5.3~5.5 / 8.8~9/ 9.1~9.3 / 18.1~18.3 / 28.8~29 / 38.3~39，而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb / 8Gb报价约落在USD4~4.25 / 5.25~5.5 / 8.5~9.4 / 17.3~17.8。

　　（以上信息由ChinaDram 提供）