天天报:外围价格拉高 闪存需求强劲

　　据各市场反馈回来的消息看，NAND FLASH方面的需求量增加，部分通路和工厂都有补仓动作。但是由于现货市场的货源不多，所以它的成交量并不是很多。DRAM方面，价格略为上涨，需求量也增加。但是人们还是处于观望的状态。

　　深圳市场

　　NAND FLASH方面，今天需求依旧强劲，主要集中在1G、2G、4G、8G方面，可以看出，部分通路和工厂都有补仓动作，但是由于现货市场的货源不多，所以，实际的成交量并不是很大，库存的建立水位也不是很高，因此，我们认为个别产品还是有上涨空间。

　　DRAM方面，今天台湾有主动拉高的动作，以至影响到香港通路报价谨慎，国内并没有因此出现采购工作，而是以观望为主。

　　（以上信息由ChinaDram提供）

　　香港市场 

　　最近两天Nand Flash成交活动都有所增加. 因此, Nand Flash价格逐渐回稳, 尤其是2G/ 4G. 今天2G Samsung/ Hynix价格出现反弹, 涨幅颇大, 而成交量明显比其他Nand Flash为多. Samsung 2G价格收市时约为$ 4.90, Hynix的约为$ 4.85。

　　由于月底即将过去, DDR市场又出现补货活动. 普遍DDR价格都略为上涨, 需求亦有所改善. 今天DDR400 32x8 UTT价格上涨至$ 1.74. 同时, DDR400 32x8/ 64x8 Hynix价格分别为$ 1.98/ $ 3.80.

　　（以上信息由福意国际提供）

    台湾市场

    今日的DRAM现货市场，由于现货供应短缺，512Mb(64M*8)400MHz颗粒价格仍是小幅上扬，而主流颗粒256Mb(32M*8)400MHz/333MHz的价格也在牵引之下，上涨至USD2.00/USD2.13。而在UTT(ETT)的部份，供应端价格持续开高，加上明显跟进的市场需求，价格也上涨了2.33%，收在USD1.77，交易量有明显放大。
在NAND Flash的现货部份，出现近日来较为显著的需求，另一方面也因受到月底工厂关仓的影响，4Gb在现货流量不充裕的状况下，带动明显买气驱使价格微幅小涨，而8Gb则是由于部分供货商压低报价求售，整体价格略为下降，其它容量价格则维持平稳。Samsung 1Gb / 2Gb / 4Gb(F9F) / 4Gb(K9K) / 8Gb(K9K) / 8Gb (K9W) / 16Gb报价约落在USD3.8~3.9 / 4.7~4.9 / 8.55~8.8 / 8.8~8.85 / 16.5~17.6 / 24.5~24.7 / 37.65~37.8，而Hynix 1Gb / 2Gb / 4Gb / 8Gb报价约落在USD3.8~3.9 / 4.7~4.8 / 8.45~8.65 / 16.5~16.9。

　　（以上信息由ChinaDram提供）