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外强中干 英特尔65nm赛扬真实功耗测试(4)


http://www.sina.com.cn 2006年02月22日 15:35 太平洋电脑网

测试总结

  上述一系列的整体功耗对比,我们可以看到,65nm的新处理器制造制程,虽然已经大幅度的减少其核心面积和整体的晶体管间漏电,不过遗憾的是,处理器的整体功耗依然“强劲”。

外强中干英特尔65nm赛扬真实功耗测试(4)

65nm赛扬D

  当然,我们测试期间采用的65nm 赛扬 D 属于工程样本,处理器核心步进为B1,并非日后正式零售版本的C1。据Intel方面的资料显示,C1制程的65nm处理器才是真正意义上的65nm成品。采用该核心步进的Intel 65nm处理器,在整体核心功耗上将会进一步的改进。

  主要原因是,B1步进的处理器会出现BNR信号的缺陷,当处理器发出C1E、EIST或TM2等指令时,可能会导致系统停止运作,由于这个问题并不能透过BIOS作出修正,因此65nm B1步进的Pentium D 9xx处理器全系列均删除了对Enhanced HALT、Enhanced Intel SpeedStep Technology及Thermal Monitor 2 Ratio Transition等功能的支持,但全新C1步进,将完全修正以上问题并重新被启用。

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