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外强中干 英特尔65nm赛扬真实功耗测试(3)


http://www.sina.com.cn 2006年02月22日 15:35 太平洋电脑网

热身环节-65纳米 VS 90纳米

65纳米 VS 90纳米 整机功耗对比
功耗:瓦
65nm CD 356
90nm CD 331
BIOS待机
167
155
系统待机
143~152
119~131
CPU 满载
179~188
164~176
3D 游戏满载
200~215
188~203
 

65纳米 VS 90纳米 处理器核心温度对比
工作状态(室温20°)
65nm CD 356(133 x 20)
90nm CD 331(133 x 20)
BIOS 待机
31°
30°
系统待机
21°
26°
CPU满载
37°
34°

  结果一目了然,无论是在整体功耗又或者是核心温度上,65nm的赛扬 D 在90nm的前辈面前,并不具备任何的优势。不过,测试期间我们发现了一个为较奇怪的现象,待机情况下的65nm赛扬 D,其发热量比90nm的要低出不少,但一对照电源上的功耗值,65nm的赛扬 D的整体功耗竟然比90nm版本高出21w。

CPU超频后的功耗对比测试

65nm赛扬 D 超频 整机功耗对比
CPU频率
待机
CPU满载
133 x 20
140~152
167~179
133 x 25
143~152
176~188
166 x 20
143~155
176~188
 
  只要在核心电压不变的情况下,处理器时钟频率的提升,与功耗的增加是不成正比的。
 

核心电压调整后的功耗对比

  之前的文章我们也有提到,65纳米的赛扬D毕竟要到4月份才能正式上架,因此,到目前为止,我们仍然不能明确的告诉大家,65nm新制程到底能为Intel旗下的处理器带来多大的超频潜力。然而,对很多热衷于超频的DIYer来说,处理器核心的加电压超频是他们的拿手好戏。因此,我们特意加入了各电压值下,65nm赛扬 D系统的整体功耗对比。

  测试期间,我们将CPU的频率调整为133 x 20=2.66GHz,分别将CPU的核心电压调整为1.2v、1.3v、1.4v和1.5v。观察这几个状态下,系统的整体功耗变化。

外强中干英特尔65nm赛扬真实功耗测试(3) 外强中干英特尔65nm赛扬真实功耗测试(3) 外强中干英特尔65nm赛扬真实功耗测试(3)

对比

处理器核心电压调整 整机功耗测试(133 x 20)
功耗:瓦
1.2v
1.3v
1.4v
1.5v
BIOS待机
146~155
167
179
203
系统待机
131~143
140~152
152~167
176~188
CPU 满载
155~167
167~179
188~191
212~215
3D 游戏满载
188~200
188~203
212~230
236~251
 
  非常明显,随着处理器核心电压的逐步提升,系统的整体功耗也会成正比例的增长。通过上述的测试数据,我们可以清晰的看到,CPU核心电压每提升0.1v,系统的待机功耗就会有接近20W的增长。满载后的系统,功耗更是叫人汗颜,从1.3v提升到1.5v,3D游戏的满载功耗竟然提升了将近50W!整体功耗暴涨了25%!!
 
  因此,我们奉劝喜欢加电压超频的朋友,日后要谨慎对待65nm的赛扬 D,毕竟一个小时就50w,一年下来……

恐怖的65纳米!单核功耗紧逼双核!

  如果你还是对上面的数字不太敏感,我们把Intel的旗舰双核——Pentium Extreme Editon 955处理器装上,对比超频后,65nm赛扬 D的功耗水平。

65纳米 单核 VS 双核 整机功耗对比
功耗:瓦
65nm CD 356
1.3V
65nm CD 356
1.5V
65nm Pentium 955XE
BIOS待机
167
203
193~205
系统待机
140~152
176~188
167~172
CPU 满载
167~179
212~215
229~256
3D 游戏满载
188~203
236~251
239~256

  结果还是比较明显的,1.5v的赛扬 D整体功耗竟然可以紧逼双核的Pentium 955XE处理器!!看你还敢不敢加电压超频,呵呵。

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