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65nm攻城拔寨 英特尔旗舰955XE火拼FX60(3)


http://www.sina.com.cn 2006年02月08日 14:48 太平洋电脑网

    心动时刻,65纳米推动平民级双核

65nm攻城拔寨英特尔旗舰955XE火拼FX60(3)
基于65纳米制造工艺的新一代英特尔处理器核心

65nm攻城拔寨英特尔旗舰955XE火拼FX60(3)
基于65纳米制造工艺的新一代英特尔处理器核心

  在这里,我们要为大家回顾一下Intel双核处理器的发展历程。去年年中,迫于 AMD Athlon64 X2双核处理器的压力,Intel较为匆忙的把两颗处理器内核整合在一款硅片上(Dies In Code),采用沿用两年的90纳米工艺制造。使得一颗双核处理器的核心面积高达206平方毫米,功耗更飙升到令人咋舌的130~165W。要知道,处理器核心芯片的成本是以核心面积计算的,同样面积的圆晶硅片,只有处理器核心面积的减少,才能切割出更多的处理器芯片,制造成本才能下降。与此同时,65纳米工艺的应用,能更好的提高产量。

65nm攻城拔寨英特尔旗舰955XE火拼FX60(3)
基于65纳米制造工艺的新一代英特尔处理器核心

  而采用新一代65纳米生产工艺的Presler双核处理器,使用了Dies In Chip的方式,更为廉价的实现了双核,简单来说就是在同一个基板上整合两颗独立的处理器。这双核的实现方法更为灵活,避免了生产Smithfield中,由于其中一颗处理器的缺陷而导致的处理器产能问题。

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