激动 2006年十大最值得期待技术与产品(3)

五、高转速大容量硬盘

　　相对于CPU、显卡等呈几何倍数的增长趋势，硬盘似乎有些郁郁寡欢。在容量方面，80GB在2002年年底就已经是主流了，120GB也初露端倪，而时至今日主流硬盘的容量仍然是80GB左右。速度方面，7200RPM仍然是一道难以逾越的屏障，以至于很长一段时间内，硬盘的性能得不到进一步的提高。但是，这些并非说明如今的硬盘技术没有任何发展。相反，硬盘技术将在2006年有了很大的突破。

高转速大容量硬盘

　　出于SCSI硬盘在高端用户心目中独一无二的地位，IDE硬盘向工作站和服务器领域的进军可谓历经艰辛。一般普遍的观点认为，与SCSI硬盘相比，IDE硬盘稳定性相对较差，转速低，同时对CPU依赖大。虽然大多数情况下，这的确是IDE硬盘的不足之处，但IDE硬盘制造商确力图打破这一宿命。西数的Raptor IDE硬盘已经达到10000RPM，此时寻道时间只有惊人的5.2ms，而大部分IDE硬盘则要8-10ms。在持续传输率方面，转速提高的Raptor IDE也明显优于任何7200RPM的IDE硬盘。而在2006年，我们将极有可能会看到希捷推出10000RPM SATA硬盘，并且在结合NCQ技术后达到完美的性能。

高转速大容量硬盘

　　在新的一年中，GMR（GaintMagneto Resistive，巨磁阻）磁头技术也将得到很好的发展与改进。GMR磁头技术是由IBM开发，它是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据。由于GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，因此相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，从而可以实现更高的存储密度。已经退出桌面硬盘市场的IBM刚推出这项技术时，GMR磁头能够达到的盘片密度仅为8Gbit每平方英寸，而如今希捷等将GMR磁头升级到每平方英寸150Gbit以上，这就为硬盘提升单碟容量提供了先决条件。500GB硬盘将不会是顶峰，200GB单碟容量与最大800GB容量将会成为2006年里的冲击目标。

期待指数 ★★★★

六、XDR内存

　　XDR是RAMBUS公司的新一代RDRAM内存，其中XDR代表eXtreme Data Rate DRA的缩写。因为XDR采用“Octal Data Rate”八倍速传输，在一个时钟循环中传送8个Bit的数据，因此实际频率仅仅是400MHz的XDR等效于3.2GHZ的SDRAM内存，可以达到惊人的内存带宽。

XRD内存也有可能先应用于显卡上

　　相比之下，DDR SDRAM只能在一个时钟周期进行2Bit的数据传输，而XDR内存则是8Bit，堪称是XDR的核心技术。在一个时钟周期内（一个上升沿和一个下降沿），XDR DRAM进行了4次时钟采样，在采样的每个上升沿和下降沿都传输了1bit的数据，因此在一个时钟周期内，XDR可以传输8bit的数据。

　　XDR协议使用了一种“中性”的传输标准，即所有的数据必须按照规定的速率进行发送，但是数据可以根据时钟的边界在任意相位内进行发送。在这个协议下，形成了XDR FlexPhase电路，它集成于XIO单元中，确保了数据最高的传输速率。在XDR的工作过程中，首先由XCG根据系统时钟产生CTM控制信号，随即CTM控制信号直接传输至ASIC设备，ASIC设备根据CTM信号调用XIO部件，XIO部件通过PLL来生成内部的XDR数据时钟；在此过程中，CTM会沿着互连总线传输给每一个DRAM CFM部件。CFM主要是对DRAM每一个引脚进行数据收发和信号控制。

　　XDR与上一代RDRAM最大区别就是具有独立的数据和地址/指令总线。RDRAM的结构需要数据通过所有的内存模块，这也造成了RDRAM为人诟病的高延迟性。好在XDR通过两条独立的总线解决的这一问题，其中地址/指令总线还是需要经过所有的内存模块，不过数据则可以由内存控制器直接进入对应的模块。和RDRAM一样，XDR也需要一个独立的频率发生器芯片。RDRAM的频率发生器是其能否在主板上稳定工作的关键，也决定了RDRAM能够以怎样的频率工作。如果RDRAM的频率发生器质量不够好，那么将会限制内存模块的性能发挥。不过这一切对于XDR而言都不是问题了，Cypress和ICS都已经签约为XDR制造频率发生器，两家公司实力都不容小视。

期待指数 ★★★