重夺性能王座 7800GTX 512M显卡首发评测(10)

登峰造极的TSMC 0.11微米制程

对比

（精挑细选7800GTX-512-A2核心运行在550Mhz）

　　R520的直接竞争对手是G70，G70具备24条管线，只集成了3.02亿晶体管，而R520 16条管线，却集成了3.21亿个晶体管。据NVIDIA表示，如果G70采用90纳米工艺，核心面积只有226平方毫米，比R520的263平方毫米要更小。很明显，90纳米工艺使得ATI能够在相同面积的核心中，集成更多的晶体管。核心面积会直接影响到制造成本，在这方面，ATI占据了不小的优势，但是这种优势马上就被其90纳米低良率给“咔嚓”掉了。登峰造极的TSMC 0.11微米工艺让到NVIDIA在4个月时间里面囤积了不少高频G70芯片。

参数对比

　　随着核心频率的攀升，7800GTX 512M重登像素填充率王座，13920MTexesls/s的理论填充率大幅抛离RadeonX1800XT的10000MTexesls/s水准，同时由于核心频率的提升，7800GTX 512M的Vertex引擎效能也得到巨幅提升。（580/1730）

业界最高速的GDDR3显存

GDDR3显存

　　业界最为高速的Samsung 1.1ns GDDR3显存被应用在7800GTX 512M上，编号为K4J52324QC-BJ11的Samsung GDDR3显存单颗容量为64M，8颗就能组成512M 256bit的旗舰规格，同时最高默认频率达到1800Mhz以上。XFX 7800GTX 512M显存运行频率为1730Mhz，能够提供55.6GB/S的显存带宽，领先于X1800XT的48GB/S。