Hynix：将在无锡采用90nm工艺生产闪存

　　根据韩国DigitalTimes近日的报道，韩国Hynix公司江苏无锡厂已开始建构厂房，预定在今年底完工。同时，预定在今年9月开始移入设备，试运行生产线。

　　业内消息灵通人士指出，Hynix原本计划先行于无锡厂采用0.11微米工艺生产内存模组，然由于NAND型闪存需求增加，因此Hynix准备改变策略，采用更先进的90纳米工艺，先行生产NAND型闪存。

　　目前Hynix公司预定在今年9月将韩国工厂的部份8英寸晶圆(200㎜)设施移转到无锡厂，并在今年11-12月完成调试，试行运转。

　　与Hynix携手投资兴建无锡厂的意法半导体相关人员表示，无锡厂预定自明年初开始，月加工2万片8英寸晶圆，工作人员约1,500名。

　　另外，Hynix与意法半导体总计将于无锡厂投资20亿美元，今年计划投入3.75亿美元兴建8英寸厂，并在2006年著手建构12英寸厂。