硅有可能“退居二线”

　　5. 硅有可能“退居二线”

发现超越硅电子的器件

　　2007年一项令人吃惊的科研成果可能要属发现一种不同级别的材料界面——过渡金属氧化物。过渡金属氧化物第一次名声大振是在1986年，当时，高温超导体的发现问鼎诺贝尔奖。自此之后，固态物理学家便发现了这些材料具有的一系列意想不到的特性，包括巨磁致电阻——施加磁场的“小变”导致电阻“大变”。但最令科学家兴奋的是，当一种氧化物与另外一个同伴接触时，真正的好戏上演了。

　　如果不同的氧化物晶体在尖锐界面中“生长”，一个晶体结构对另一个的影响能够改变界面中的原子位置、电子数量甚至电子电荷在原子周围的分布。两个绝缘氧化物“组队”能够产生一个导电性类似金属或者超导体的界面。其它化合物则表现出与金属一样更让人熟悉的磁性并出现量子霍尔效应——磁场中的电导系数被量子化成不连续的值。研究人员乐观地认为，他们可能制造出性能胜过半导体结构的氧化物化合物。这些合成氧化物的变异几乎是无限的，拥有梦想中的特性的新材料将成为一种可能。