科学家制造出超大容量纳米级信息存储材料

　　新华网巴黎10月27日电(记者杨骏) 法国和瑞士科学家日前开发出一种名为“自动组合结构”的材料制造技术，进而制成新型超大容量的纳米级信息存储材料，每平方厘米的这种材料可存储的信息达到4万亿比特。

　　法国国家科研中心27日发布新闻公报说，法国巴黎第七大学以及瑞士综合理工大学的专家，在零下143摄氏度的真空状态下，把钴原子凝聚在金晶体材料上，在这种材料表面的钴

原子根据专家事先安排好的一种结构来排列组合。数百个原子可以形成一个大接点，这些接点又相互组合，自动形成一个有序的结构体系。研究人员由此得到的纳米级材料，其结构可以突破信息存储的不少极限，使硬盘的信息存储密度进一步加大。

　　据介绍，在目前的硬盘中，信息主要被存储在一个很薄的钴合金晶粒片上。1比特的信息需要占1000个晶粒。而法国科学家新开发的技术使存储1比特信息仅占用1个晶粒，1平方厘米新材料的信息存储量达到了4万亿比特。

　　目前这种材料的缺点是只有在零下230摄氏度时才有磁性记忆能力。高于这一温度，新材料的接点就会出现性能不稳定，导致信息丢失。科学家下一步将致力于加强新材料的稳定性。

　　据当地媒体报道，在微电子技术领域实现微小化、单位面积内存储能力最大化是重要的研究方向。目前的成熟技术很难满足市场对存储能力的要求。未来，利用纳米技术将能在上述两方面不断获得进展。