【IT168资讯】近日，Intel宣布自己在芯片研发技术上取得突破性进展，已经完成了对High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发。

采用High-K（高电介质）金属门电路晶体管的处理器，在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升

　　与目前使用广泛的CMOS晶体管相比，由于采用了新的材料High-K(高电介质)，High-K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%，因此High-K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快。另外，High-K(高电介质)金属门电路晶体管的损耗状况比传统的CMOS晶体管降低100倍，采用High-K(高电介质)金属门电路晶体管的处理器，在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。

　　此次新技术将很快运用于处理器的生产研发上。新技术会大幅降低处理器的成本，可以让摩尔定率能继续适用于芯片制造业。Intel同时透露，新的High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术会出现在2007年的处理器上，并配合Intel的45纳米制造工艺。

　　Intel一直是处理器市场的老大哥，虽然前一段时间一度被AMD的Athlon64搞得有些捉襟见肘，并仓促推出P4 EE应战，不过这次Intel再次证明了自己在芯片界的实力，捍卫了自己多年来创造的荣耀。